Унікальний новий матеріал може збільшити обчислювальну потужність та об'єм пам'яті, споживаючи значно менше енергії

Топологічний напівметал від дослідників Міннесоти може зробити наші пристрої неймовірно ефективними.

Команда з Університету Міннесоти вперше успішно синтезувала тонкий шар особливого топологічного напівметалу, який може забезпечити більшу обчислювальну потужність та об'єм пам'яті при значно меншому споживанні енергії.

Результати дослідження були опубліковані в журналі Nature Communications. Враховуючи зростаючий попит на напівпровідникове виробництво, як зазначено у нещодавно прийнятому Законі CHIPS and Science Act США, поява нових матеріалів для електронних пристроїв є пріоритетом. Топологічні напівметали, клас квантових матеріалів, показують унікальні властивості, які відсутні у звичайних ізоляторів та металів, які застосовуються в електроніці.

Ключовим моментом дослідження було використання магнітних добавок для переходу від слабкого топологічного ізолятора до топологічного напівметал. Як зазначив Jian-Ping Wang, один із старших авторів статті, це може сприяти збільшенню терміну служби пристроїв та зниженню споживання енергії.

Андре Мхоян, ще один старший автор статті, наголошує на значущості цього напряму досліджень для зниження енергоспоживання у повсякденній електроніці, яка оточує нас.

Особливість даного матеріалу полягає у його реакції на магнітне поле. На відміну більшості матеріалів, опір цього топологічного напівметалу зменшується при впливі магнітного поля.

Це дослідження стало можливим завдяки спільним зусиллям фахівців із різних дисциплін. Воно отримало підтримку від SMART, одного з семи центрів nCORE, і частково фінансувалося Університетом Міннесоти та Національним інститутом стандартів та технологій (NIST).