TSMC оголосила про перевагу над Intel: якими будуть нові процесори з Тайваню

Нова технологія вузла N3P дасть змогу створювати чипи за 3-нм технологічним процесом із більшою продуктивністю та енергоефективністю.

Тайванська компанія TSMC, один із найбільших розробників процесорів у світі, оголосила про те, що в її наступних чипах застосовуватиметься поліпшена технологія вузла N3P, здатна обійти за своїми характеристиками технологічні вузли Intel 20A і 18A, поява яких запланована у 2024 році. Про це повідомляє портал TechSpot.

Технологічний вузол N3P — це процес виробництва напівпровідників, розроблений компанією TSMC. Він має розмір транзисторів 3 нанометри, а отже транзистори N3P можуть бути більш енергоефективними та продуктивними. Порівняно з наявним на сьогодні технологічним вузлом N3 компанія анонсує в N3P поліпшену продуктивність до 5%, зниження енергоспоживання до 10% за тих самих тактових частот і збільшення щільності транзисторів на 4% для змішаної конструкції мікросхеми.

Технологію N3P використовуватимуть у широкому спектрі продуктів, включно зі смартфонами, планшетами, ноутбуками, серверами та автомобільними чипами. N3P використовуватиме технологію EUV (ультрафіолетове випромінювання з довжиною хвилі 13,5 нанометрів) для всіх шарів, крім металізації. Це дає змогу зменшити розмір транзисторів і підвищити щільність пакування. Так само N3P дасть можливість застосувати нову технологію контактних майданчиків, що підвищить щільність пакування і знизить опір.

Під час нещодавнього звіту про фінансові результати генеральний директор TSMC Джефф Су заявив, що їхня внутрішня оцінка підтвердила поліпшення технології N3P. Виробничий вузол 3-нм класу TSMC продемонстрував "порівнянний PPA" (область продуктивності потужності) з вузлом Intel 18A. Очікується, що N3P буде ще кращим: раніше з'явиться на ринку, зможе похвалитися "вищою технологічною зрілістю" і запропонує значні цінові переваги.

Генеральний директор TSMC так само зазначив, що 2-нанометрова технологія компанії, хоча ще перебуває на стадії розробки, але як очікується, перевершить як N3P, так і 18A. Виробничий процес TSMC за нормами 2 нм може стати найпередовішою технологією в напівпровідниковій промисловості, коли вона буде представлена у 2025 році.

Зі свого боку Intel заявляє, що її технологічні вузли 20A та Intel 18A засновані на так званих польових транзисторах із повним затвором (GAAFET), які є загальною практикою для всіх підприємств, що розробляють технологічні вузли, де крок затвора транзистора менший за 3 нм. Ще однією перевагою нової технології Intel є задня подача живлення (так звана PowerVia). Принаймні теоретично, це має забезпечити вищу щільність логіки, вищі тактові частоти та менший витік потужності, що призведе до створення більш енергоефективних конструкцій.

Источник: focus.ua