TSMC може затримати початок випуску 2-нм чіпів до 2026 року
Тайванська компанія TSMC готує під випуск 2-нм компонентів відразу три майданчики у різних частинах острова, але свіжі чутки згадують про можливість уповільнення реалізації відповідних проектів. Щонайменше одне з підприємств, на яких має бути освоєно масовий випуск 2-нм виробів, займеться профільною діяльністю не раніше 2026 року, як повідомляють джерела.
Цим інформаційним приводом несподівано зацікавився авторитетний ресурс TrendForce , який посилається на публікації тайванських ЗМІ. Як пояснює видання, TSMC розраховує освоїти випуск 2-нм продукції на трьох підприємствах у різних частинах Тайваню: у Баошані (Сіньчжу) на півночі, Тайчжуні в центральній частині острова, а також у Гаосюні на півдні.
Спочатку, як зазначають джерела, TSMC мала намір побудувати підприємство Fab 20 в Баошані, щоб воно вже в другій половині наступного року приступило до дослідного виробництва 2-нм продукції, а в 2025 освоїло серійний випуск 2-нм виробів. Зараз муніципальна влада силами підрядних організацій розпочала формування інженерної та дорожньої інфраструктури, яка знадобиться майбутньому підприємству TSMC на півночі острова. З чуток, будівництво самого підприємства дещо затримається, оскільки попит на напівпровідникові компоненти відновлюється повільно, і виробник просто не впевнений, що нарощувати майбутні потужності потрібно колишніми темпами. Замість другої половини 2025 року, масове виробництво 2-нм чіпів на цьому майданчику TSMC може бути налагоджено лише у 2026 році.
До речі, представники TSMC, за даними TrendForce, всі ці чутки супроводжували лише заявою про збереження намічених темпів введення в дію нових підприємств. У Гаосюні будівництво підприємства для випуску 2-нм чіпів вже розпочалося, а монтаж обладнання мав розпочатися через місяць після підприємства у Баошані. У центральній частині Тайваню підприємство в Тайчжуні почне зводитися лише наступного року, тому на терміни освоєння 2-нм техпроцесу в масштабах усього бізнесу TSMC воно вплине найменшою мірою. За деякими даними, місцеве підприємство TSMC може одразу перейти до освоєння 1,4-нм або 1 нм техпроцесу, пропустивши фазу 2 нм.
Очікується, що при випуску 2-нм виробів TSMC буде застосовувати структуру транзисторів з навколишнім затвором (GAA), яку Samsung Electronics вже взяла на озброєння в рамках свого 3-нм техпроцесу. Складність даної технології для TSMC закладає певні ризики щодо термінів освоєння виробництва 2-нм чіпів, а також рівня шлюбу. У свою чергу, Intel до 2025 року вже планує освоїти техпроцес 18A з різними нововведеннями компонування типу аналога GAA на ім'я RibbonFET і технології PowerVia, яка передбачає подачу харчування з зворотного боку підкладки. Таким чином, TSMC у разі виникнення затримок із освоєнням 2-нм техпроцесу ризикує відстати не тільки від Samsung, а й від Intel.