Samsung за $15 млрд збудує в Кореї новий центр досліджень напівпровідників

Компанія Samsung Electronics заклала фундамент нового комплексу для досліджень та розробок у галузі напівпровідників у Гіхині, Республіка Корея. До 2028 року Samsung інвестує в новий центр 20 трлн ($15 млрд). У новому центрі проводитимуться передові дослідження в галузі наступного покоління пам'яті та інших напівпровідників, а також розроблятимуть нові проривні технології.

Нові корпуси площею 109 тис. м 2 будуть зведені поруч з кампусом підрозділу DS у Хвасеонгу, де в 1992 році була розроблена перша у світі 64-Мбіт DRAM, що ознаменувало початок лідерства компанії в області напівпровідників.

«Наш новий сучасний науково-дослідний комплекс стане центром інновацій, куди зможуть приїжджати та розвиватися найкращі наукові кадри з усього світу, – сказав президент компанії К'є Хен Кюн (Kye Hyun Kyung), який також очолює підрозділ Device Solutions (DS). — Ми очікуємо, що цей новий початок закладе основу для сталого зростання нашого напівпровідникового бізнесу».

Не секрет, що межі масштабування напівпровідників близькі до своєї теоретичної межі у рамках розроблених техпроцесів. Цього літа Samsung стала першою компанією, яка впровадила масове виробництво чіпів з транзисторами з повністю каналами, оточеними повністю затворами GAA (Gate All Around). Зі створенням нового науково-дослідного центру Samsung Electronics прагне ще глибше подолати межі масштабування напівпровідників та зміцнити свої конкурентні переваги у галузі напівпровідникових технологій.