Samsung тестує HBM4E з пропускною здатністю 3,6 ТБ/с

Samsung оголосила про початок постачання зразків нової 12-шарової пам’яті HBM4E для великих міжнародних клієнтів. Це наступне покоління високошвидкісної пам’яті, яке приходить після HBM4 і орієнтоване насамперед на системи штучного інтелекту та великі мовні моделі.

За даними компанії, HBM4E забезпечує швидкість передачі даних до 14 Гбіт/с з можливістю масштабування до 16 Гбіт/с. Пропускна здатність досягає приблизно 3,6 ТБ/с на один стек, що робить технологію придатною для найвимогливіших обчислювальних задач у дата-центрах та AI-інфраструктурі.

У новому поколінні також збільшено обсяг пам’яті: 12-шарова конфігурація пропонує 48 ГБ, що більш ніж на 30% перевищує показники попередніх рішень. У майбутньому компанія планує випуск версій на 32 ГБ і 64 ГБ. Крім того, завдяки оптимізації архітектури вдалося підвищити енергоефективність приблизно на 16% і покращити теплові характеристики більш ніж на 14%.

Після етапу тестових постачань Samsung планує перейти до масового виробництва HBM4E відповідно до графіків замовників, продовжуючи розширювати свою присутність на ринку пам’яті для штучного інтелекту.

Источник: itechua.com