Samsung створила 900-шарову пам’ять: це може змінити ринок SSD

За даними інсайдера Ice Universe та профільних ЗМІ, компанія Samsung Electronics успішно розробила прототип 900-шарової V-NAND — вертикальної флеш-пам’яті нового покоління. Якщо інформація підтвердиться офіційно, це стане важливим кроком до рубежу в 1000 шарів, який давно вважається однією з наступних великих цілей індустрії NAND-пам’яті.

За повідомленнями, прототип створено не простим нарощуванням одного кристала, а за рахунок об’єднання двох 450-шарових блоків із застосуванням технології CMB, або Cell-on-Cell/multi-layer bonding. Такий підхід дозволяє збільшувати кількість шарів і щільність зберігання даних, обходячи частину технологічних обмежень, з якими стикаються виробники при подальшому вертикальному масштабуванні NAND.

Для Samsung це особливо важлива демонстрація на тлі зростаючого попиту на накопичувачі для серверів, інфраструктури штучного інтелекту, ПК та мобільних пристроїв. Компанія вже випускає V-NAND 9-го покоління: у 2024 році Samsung оголосила про масове виробництво 1-терабітної TLC V-NAND, а потім розпочала виробництво QLC V-NAND 9-го покоління для завдань епохи ШІ.

900-шаровий прототип поки що не означає негайної появи споживчих SSD з такою пам’яттю. Між лабораторною розробкою та масовим виробництвом залишаються питання випуску придатних чіпів, вартості, надійності, енергоспоживання та сумісності з майбутніми контролерами. Але сам факт успішної перевірки такої структури показує, що Samsung продовжує шукати шлях до різкого зростання ємності без пропорційного збільшення площі чіпа.

Якщо технологія дійде до серійного виробництва, вона може стати основою для SSD набагато більшої ємності — від споживчих накопичувачів до корпоративних рішень для дата-центрів. На тлі конкуренції з SK hynix, Micron, YMTC та іншими гравцями Samsung важливо не просто утримати лідерство в NAND, а довести, що компанія здатна першою наблизитися до наступного покоління надщільної флеш-пам’яті.

Источник: itechua.com