Samsung разработала модуль DDR5 рекордной ёмкости

Samsung анонсировала новые фирменные комплектующие — планки памяти DDR5-7200 объёмом 512 ГБ. Добиться такой характеристики компании помогла новая технология упаковки чипов, особенности которой были раскрыты в официальном проморолике.

Благодаря шлифовке кремниевых слоёв вендору удалось сделать кристаллы RAM на 40 процентов тоньше: 1,0 мм против 1,2 мм у продукции предыдущего поколения. Это позволило изготовить восьмислойные чипы памяти, получив рекордный по меркам отрасли объём одной планки. Для сравнения — комплектующие стандарта DDR4, изготавливаемые при помощи технологии 3D TSV, имели только четыре слоя.

Производитель заявляет следующие характеристики модулей: скорость передачи данных до 6400 Мбит, рабочее напряжение 1,1 В и увеличенная на 30 % по сравнению с DDR4 энергоэффективность. В планы корпорации входит поставка новинок в центры обработки данных, а позднее — производителям смартфонов и ноутбуков. Дата начала первых отгрузок модулей рекордного объёма пока неизвестна.