Samsung готує революційну пам’ять для смартфонів із потужним ШІ

Samsung працює над новою технологією пам’яті для смартфонів та планшетів, яка може помітно підвищити продуктивність вбудованого штучного інтелекту. Йдеться про високошвидкісну пам’ять HBM, яка сьогодні в основному використовується в серверах і потужних ШІ-прискорювачах.

Згідно з свіжим звітом, компанія адаптує HBM спеціально під мобільні пристрої, оскільки традиційні версії таких чіпів дуже вимогливі до простору, охолодження та енергоспоживання. Samsung планує використати вдосконалену упаковку з технологією Fan-Out Wafer Level Packaging (FOWLP), яка вже застосовується у сучасних мобільних процесорах.

Головне завдання – забезпечити високу пропускну здатність пам’яті без критичного зростання температури та енергоспоживання. Для цього Samsung розробляє нову схему вертикального розташування кристалів пам’яті з використанням надтонких мідних стовпчиків. За даними джерел, компанія змогла значно збільшити щільність з’єднань, що дозволить підвищити швидкість передачі даних приблизно на  30%.

Технологія HBM здатна помітно прискорити локальну обробку ШІ-завдань на смартфонах – від генерації зображень та роботи голосових помічників до складних функцій обробки відео та тексту без звернення до хмарних серверів.

За чутками, першою платформою Samsung з подібною пам’яттю може стати майбутній процесор Exynos 2800 або пізніший Exynos 2900. Також повідомляється, що аналогічні технології вивчають Apple та  Huawei.

Однак масове впровадження HBM у смартфони поки що залишається дорогим рішенням. Вартість мобільної DRAM продовжує зростати, тому виробники обережно підходитимуть до використання таких компонентів у споживчих пристроях.

Источник: itechua.com