Глава Intel уверен в способности компании ускорить закон Мура в ближайшие десять лет

Ещё на квартальной отчётной конференции генеральный директор Intel Патрик Гелсингер (Patrick Gelsinger) ссылался на готовность компании освоить пять новых техпроцессов за четыре года и к середине десятилетия обойти конкурентов. На мероприятии, частично приуроченном к анонсу процессоров Alder Lake, он заявил о способности Intel не только вернуть закон Мура в прежнее русло, но и ускорить его действие.

Напомним, под законом Мура понимается эмпирическое правило, сформулированное в конце шестидесятых годов одним из основателей корпорации Intel Гордоном Муром (Gordon Moore). Это правило гласит, что плотность размещения транзисторов на единице площади кристалла полупроводникового компонента удваивается каждые полтора–два года. К 2015 году тогдашнее руководство Intel в лице Брайана Кржанича (Brian Krzanich) вынуждено было признать, что действие закона Мура замедляется, и теперь нормой считается удвоение плотности размещения транзисторов раз в два с половиной года.

Патрик Гелсингер теперь заявляет, что «закон Мура жив и чувствует себя хорошо». По словам действующего главы Intel, в ближайшие десять лет компания не только будет придерживаться этого правила, но и ускорит его действие. «Мы даже изогнём кривую, заставляя (плотность размещения транзисторов) удваиваться быстрее, чем раз в два года. И мы не успокоимся, пока не переберём всю периодическую таблицу элементов. Мы, как проводники закона Мура, будем без устали двигаться по пути инноваций в магии кремния», — заявил Патрик Гелсингер на этой неделе.

Подобная уверенность зиждется на нескольких инновациях. Прежде всего, к середине текущего десятилетия Intel рассчитывает освоить сверхжёсткую ультрафиолетовую литографию с высоким значением числовой апертуры (High NA EUV). Компания ASML литографическое оборудование нового поколения первой начнёт поставлять именно Intel. Во-вторых, компания рассчитывает перейти на использование новой структуры транзисторов, RibbonFET, а также компоновки PowerVia, предусматривающей размещение силовой разводки с оборотной стороны кристалла. Наконец, по словам Гелсингера, не следует умалять роль прогрессивной компоновки самих кристаллов в упаковке чипа. Технология Foveros Omni позволяет наращивать кристаллы ярусами один над другим, повышая результирующую плотность размещения транзисторов на единице площади.

Глава Intel также убеждён, что никому из конкурентов не удастся двигаться подобными темпами, и компания будет обладать «комфортным преимуществом» над всеми остальными игроками отрасли. Подобные усилия потребуют огромных капитальных затрат, и не все инвесторы разделяют оптимизм нынешнего руководства Intel. Во всяком случае, на ближайшие два или три года придётся смириться со снижением нормы прибыли.