IBM показала хранилище на базе PCM-памяти

Компания IBM продемонстрировала, каким способом можно интегрировать память с фазовым переходом (PCM, phase change memory) в иерархию твердотельных накопителей. Кроме того, производитель показал свой первый прототип платы, использующей PCM-память. Устройство названо в честь персонажа греческой мифологии Тесея. Имя ему подсказали в Университете Патрас, в сотрудничестве с которым велась разработка.

IBM провела сравнение на системном уровне SSD-накопителей и своей PCI Express-карты. Как оказалось, твердотельный накопитель корпоративного класса в 12 раз проигрывает по скорости новинке. SSD потребительского класса уступает PCM-памяти в 275 раз. Но, несмотря на то, что PCM-чипы выпускаются с 2012 года, до сих пор реальных примеров внедрения очень мало.

К достоинствам PCM можно отнести сочетание высокой производительности, почти такой же, как у DRAM, с энергонезависимостью флеш-памяти. По надежности PCM выигрывает у флеш-памяти. Если NAND-чипы поддерживают порядка 10-100 тысяч циклов перезаписи, то для PCM этот показатель может составлять 10 млн и даже во много раз больше при использовании кода с коррекцией ошибок. IBM предлагает использовать PCM на всех уровнях иерархии памяти, что позволит повысить общую производительность системы.

PCM использует халькогенидный сплав, заключённый между двумя электродами. Высокий ток превращает этот сплав в аморфное состояние, что представляет логический нуль. Средний ток переводит халькогенидный сплав в кристаллическую форму (логическая единица). Считывание состояния производится малым током. Запись в ячейку состояния «нуля» составляет 70 нс, а «единицы» — 120 нс.

Что касается начала серийного выпуска систем с использованием PCM-памяти, то IBM не уточнила ни сроки, ни цену своих решений.