Ученые научились производить прочные микросхемы толщиной в три атома

Сотрудники Корнелльского университета сообщили о своем прорыве в транзисторных технологиях. Как сообщается в последнем выпуске журнала Nature, они обнаружили новый и очень эффективный способ получения экспериментального материала, известного как дихалькогенид переходных металлов (TMD). Он представляет собой чрезвычайно тонкую (но с высокой проводимостью) пленку, которая делает его пригодным для использования во многих высокотехнологичных разработках — начиная от солнечных батарей и заканчивая гибкими носимыми гаджетами.

Единственным существенным минусом дихалькогенида переходных металлов является сложность его получения, из-за чего его массовое применение в электронике до сих пор было под большим вопросом. TMD, который наравне с графеном считается одним из самых перспективных материалов ближайшего будущего, может расширить границы закона Мура. Инженеры имеют возможность использовать его как надежную и ультратонкую основу для большого количества микросхем, но все проблемы вытекают как раз из малой толщины TMD, составляющей всего три атома. Из-за этого платы получаются очень хрупкими и фактически обреченными на поломку.

Ученые из Корнелльского университета считают, что если поверх кремниевой пластины нанести смесь из диэтилсульфида и соединение гексакарбонила металла, после чего поместить ее на 26 часов в водородную печь, то материал станет гораздо прочнее: из 200 образцов у исследователей оказались дефектными лишь два, т. е. успешность эксперимента составила 99%. Подобный результат более чем воодушевляет исследовательскую группу, и в течение ближайших лет она намерена улучшить свою технологию и найти ей коммерческое применение. Наработки ученых могут заинтересовать многих производителей электроники, поскольку помогут им выпускать еще более тонкую технику.