У Mac нового поколения будут не кремниевые чипы
Производители микрочипов при совершенствовании техпроцесса все чаще сталкиваются с физическими ограничениями основного материала, используемого для выращивания чипов. В настоящее время компании заняты поиском альтернатив кремнию и, по всей видимости, близки к тому, чтобы перейти на новый тип полупроводников.
В Сан-Франциско проходит конференция International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), где собрались ведущие производители полупроводниковых чипов – Intel, Samsung, TSMC, IBM и ряд других компаний. Они обсуждают последние достижения в сфере технологических процессов и препятствия, стоящие на пути к более миниатюрным, быстрым компьютерным чипам с повышением плотности расположения компонентов.
По традиции, презентация Intel стала одной из самых масштабных. Компания представила три доклада относительно 14-нм технологического процесса, а один из наиболее ценных исследователей компании Марк Бор принял участие в обсуждении закона Мура за пределами 10-нм техпроцесса.
Первые чипы Intel на 10-нм техпроцессе ожидаются на стыке 2016-2017 годов, и в компании надеются избежать задержек, которые произошли с 14 нм процессорами Broadwell. Что касается 7 нм в 2018 году, Intel говорит о необходимости менять материалы. Если прогнозы компании подтвердятся, будущие Mac будут основаны на не кремниевых чипах. Наиболее вероятными кандидатами на замену считаются элементы групп III-V периодической таблицы Менделеева.
Учитывая время, в течение которого разработчики пытаются найти альтернативу кремнию, на сегодня есть целый ряд потенциальных «заменителей», однако они пока все не идеальны. Перспективные силицен и германий имеют свойство быстрой деградации, которое пока не удается преодолеть ученым. Графен не подходит для всех типов транзисторов, при этом его очень сложно использовать при производстве интегральных схем из-за очень хрупкой структуры.
В краткосрочной перспективе, по мнению Intel, реальной альтернативой кремнию может стать комбинация из нескольких элементов на основе арсенида индия-галия (InGaAs) и фосфида индия (InP). Такая связка, как сообщается, не имеет существенных недостатков.
Переход на 7-нанометровый техпроцесс ожидается не ранее 2020 года и уже очевидно, что при производстве чипов по этой технологии ключевые элементы будут изготовлены не из кремния.