Samsung запустила производство 3-нанометровых чипов

Соответствующее объявление появилось на официальном сайте бренда. Кроме того, компания рассказала о ключевых преимуществах техпроцесса понятными цифрами — новые чипы будут компактнее и мощнее предшественников, потребляя при этом меньше энергии.

По заявлению вендора, несмотря на 16-процентное уменьшение площади чипов нового поколения по сравнению с 5-нм решениями, их производительность вырастет на 23%, а энергоэффективность — на 45%. При создании таких микросхем будет использоваться транзисторная архитектура Gate-all-round (GAA), получившая коммерческое название Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Она объединяет более широкие каналы в затворах для пропускания электричества при одновременном снижении уровня напряжения по сравнению с FinFET.

Samsung утверждает, что 3-нм технологический узел предлагает гибкую конструкцию, которая позволяет ему регулировать ширину канала в соответствии с потребностями клиентов. Кроме того, уже ведётся разработка второго поколения чипов на том же техпроцессе с улучшенными показателями энергопотребления (50%), производительности (30%) и площади поверхности (35%).

Вендор пока не назвал заказчика первой партии 3-нм процессоров. По слухам, после налаживания массового производства большую партию может заказать Qualcomm для создания мобильных платформ Snapdragon следующего поколения. В прошлом месяце Samsung объявила, что планирует потратить 355 миллиардов долларов в течение следующих пяти лет на развитие собственного бизнеса, включающего выпуск полупроводниковой продукции.