Samsung представила терабитный чип памяти V-NAND

Samsung представила терабитный чип памяти V-NAND

Компания Samsung Electronics анонсировала разработку терабитного чипа памяти V-NAND, предназначенного для выполнения требовательных к вычислительным ресурсам задач.

Такая микросхема позволяет добиться объема памяти в 2 Тбайт в одной плате V-NAND путем объединения 16 кристаллов по 1 Тбит. В компании считают эту разработку одним из наиболее важных прорывов в сфере хранения данных.

Чип V-NAND найдет применение в корпоративных твердотельных накопителях, начиная с 2018 года.

Согласно заявлению Samsung, в связи с быстрым увеличением количества задач с интенсивной обработкой данных во многих отраслях, где используются технологии искусственного интеллекта и интернета вещей, флэш-память заняла очень важную роль в части увеличения скорости извлечения данных для анализа в режиме реального времени.

Одновременно с терабитным чипом V-NAND южнокорейский гигант представил новый форм-фактор накопителей NGSFF, который призван прийти на смену стандарту M.2. Анонсированный 16-терабайтный диск NGSFF, как утверждается, позволяет вместить в четыре раза больше данных при установке в серверную стойку 1U по сравнению с устройствами M.2 или NGFF. Благодаря этому можно будет более эффективно использовать пространство дата-центров и масштабировать их.

Источник: dailycomm.ru